FDMC8878, MOSFET, N-CH, 30V, 9.6A/16.5A 8MLP, ONSEMI

Tip MOSFET

Canal-N Tehnologie MOSFET (oxid metalic)

Tensune (Vdss), 30 V

Curent - Consum coninuu (Id) la 25°C, 9,6A (Ta), 16,5A (Tc)

Tensiue acționare (Max Rds , Min Rds 4,5V, 10

Rds pornit (Max) la Id, Vgs 14mOhm la 9,6A, 0V

Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26 nC @ 1 V

Vgs (Max) ±20v

Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1230 pF @ 15

Caracteristică FET

Disipare putere (Max) 2,1W (Ta), 31W (Tc

Temperatură de funcționare -55°C – 150C (TJ)

Tip montare Montare pe suprafața

Caspula 8-MLP (3,33,3)

Număr produs de bază FDMC88

ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala.

FDMC8878, MOSFET, N-CH, 30V, 9.6A/16.5A 8MLP, ONSEMI