FQD16N25CTM, N-MOSFET, 250V, 16A, DPAK, INFINEON

Tehnologie MOSFET (oxid metalic)

Tensiune de la consumator la sursă (Vdss), 250 V

Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 16A (Tc)

Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V

Rds pornit (Max) la Id, Vgs, 270mOhm la 8A, 10V

Vgs(th) (Max) la Id, 4V la 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs, 53.5 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±30V

Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds, 1080 pF @ 25 V

Caracteristică FET

–

Disipare putere (Max) 160W (Tc)

Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)

Tip montare Montare pe suprafață TO-252AA

Pachet/cutie TO-252-3, DPak (2 derivații + clemă), SC-63

ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala.

FQD16N25CTM, N-MOSFET, 250V, 16A, DPAK, INFINEON