IXTQ40N50L2, N-MOSFET, 500V, 40A, 714W, TO3P, IXYS

Tip FET

Canal-N

Tehnologie MOSFET (oxid metalic)

Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 500 V

Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 40A (Tc)

Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V

Rds pornit (Max) la Id, Vgs 170mOhm la 20A, 10V

Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 320 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 10400 pF @ 25 V

Caracteristică FET

–

Disipare putere (Max) 540W (Tc)

Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)

Tip montare Orificiu străpuns

Pachet dispozitiv furnizor TO-3P

Pachet/cutie TO-3P-3, SC-65-3

Număr produs de bază IXTQ40

ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala.

PRODUSE ASOCIATE

Vizualizați ca:: Sortează după::

	IXTQ120N20P, N-MOSFET, 200V, 120A, 714W, TO3P, IXYS 93.59 RON Stoc epuizat		IXTQ16N50P, N-MOSFET, 500V, 16A, 300W, TO3P, IXYS 44.08 RON Stoc epuizat
	IXTQ50N20P, N-MOSFET, 200V, 50A, 360W, TO3P, IXYS 50.05 RON Stoc epuizat		IXTQ74N20P, N-MOSFET, 200V, 74A, 480W, TO3P, IXYS 48.81 RON Stoc epuizat
	IXTQ82N25P, N-MOSFET, 250V, 82A, 500W, TO3P, IXYS 65.45 RON Stoc epuizat

IXTQ40N50L2, N-MOSFET, 500V, 40A, 714W, TO3P, IXYS